SiC功率半導(dǎo)體器件的漂移區(qū)更薄,其高耐溫和高導(dǎo)熱率對(duì)于大功率模塊的散熱系統(tǒng)要求更低,因而模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)更加簡潔,減少了整機(jī)的重量及體積;
更高的開關(guān)頻率,使電感等外圍電子元器件體積能夠更小,所以模塊的整體體積可以做得更小。并且碳化硅半導(dǎo)體開關(guān)的熱導(dǎo)率是硅質(zhì)半導(dǎo)體開關(guān)的3倍以上;具備更強(qiáng)的散熱能力,降低了產(chǎn)品對(duì)散熱系統(tǒng)的要求。更大輸出功率以及更強(qiáng)的散熱特性,使得產(chǎn)品更輕、更小、適用更多場景。